EML = Electro-absorption Modulated Laser（电吸收调制激光器）。

结构上是一个 DFB 激光器 + 一个电吸收调制器（EAM）单片集成在同一块 InP（磷化铟）衬底上。DFB 负责出连续光，EAM 负责把电信号"刻"到光上完成调制。

为什么高速下会撞墙：
- EAM 的调制带宽受限于 RC 常数和量子限制斯塔克效应（QCSE）的物理上限，做到 100Gbaud+ 很吃力
- 速率越高，对 InP 衬底上外延层的均匀性、掺杂精度要求越苛刻，良率下降明显
- 消光比和啁啾（chirp）在高速下也恶化，影响长距传输

所以行业里讨论的"下一代"方案通常是：
- 硅光（SiPh）+ 外置激光器：把调制做到硅上，绕开 EML 的带宽瓶颈
- 薄膜铌酸锂（TFLN）：调制带宽天生更宽
- 直接调制激光器（DML）：成本低但只适合短距

你引用的那段话说的就是这个——EML 路线在 800G/1.6T 时代会越来越吃力，所以 CPO/硅光路线被看好。