字节跳动正与一家量产RRAM的中国内存公司合作，开发类似Groq LPU的AI芯片。该合作旨在构建LPU-like架构，涉及新型存储技术。
TrendForce预测，受代理式AI驱动，全球DRAM市场2026年收入将同比增长303%，2027年增长46%；NAND闪存市场2026年增长208.7%，2027年增长40.2%。
半导体测试设备行业面临严重组件短缺。FPGA交期从8-10周延长至52周，驱动IC交期至少10周，ADI的ATE产品供应紧张，CPU/GPU也短缺且价格上涨。
三星电子在SAFE论坛确认，美国泰勒工厂已准备就绪，明年开始量产，采用2nm工艺（SF2P+），生产特斯拉AI5/AI6芯片，总投资170亿美元。
据UBS报告，Kioxia的NAND wafer成本为2000美元，仅为三星的一半，其横向扩展架构是成本优势关键。报告还涉及HBF及NAND闪存市场展望。
据传闻，英伟达计划投资200亿新台币（约6.2亿美元）入股中国台湾ABF基板供应商景硕科技，以加强先进封装供应链布局。
三星电子投资Anthropic，参与其650亿美元H轮融资，估值达9650亿美元。三星、SK海力士、美光作为战略投资者参与。行业分析认为三星有望为Anthropic代工逻辑芯片，推动其代工业务复苏。
美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示，即使有新投资，有意义的存储芯片供应要到2027年底才开始，2028年才会增加。
BESI在2026财年第一季度来自中国收入8600万美元，占总收入的46%，显示中国区业务显著增长。
极客湾（Geekerwan）的TEM分析显示，三星2026年SF2制程在几何控制和工艺一致性上略落后于英特尔2025年18A制程。
Intel EMIB技术推动硅电容器需求增长，三星电机（SEMCO）获得超10亿美元供应合同，成为唯一同时拥有硅电容器和基板业务的企业，股价因此大涨。村田（Murata）与TSMC曾主导市场，但Intel无法自产硅电容器，需外部采购。
该社交媒体信息援引卖方观点称，英伟达目前正在测试GPU与GPU之间的混合键合技术，并推测该技术最可能的应用载体为N1或N1X产品。该消息目前仅为市场传闻，尚未获得公司官方证实，属于半导体先进封装技术领域的潜在产业动态，具体进展及商业化时间表仍待进一步验证。
据韩媒报道，英特尔正投资数十亿美元用于EMIB封装技术。该方案据称在成本与生产效率方面优于台积电主导的硅中介层2.5D封装技术。该资讯反映了头部芯片企业在先进封装领域的资本投入与技术路线竞争情况。
英特尔正通过大规模投资先进半导体封装技术加速代工业务复苏。公司已向全球供应链伙伴下达材料、零部件及设备的大额采购订单，部分韩国企业参与。相关封装设施投资规模达数万亿韩元，预计明年全面投入运营，并计划于2028年与合作伙伴探讨进一步投资。主要生产基地位于美国、越南和马来西亚，重点扩产EMIB封装技术。
英特尔计划明年起在自研的EMIB 2.5D先进封装中引入硅电容以提升性能。谷歌下一代AI芯片“v8e”预计明年下半年推出，将率先采用该封装方案。亚马逊等科技巨头亦在推进应用，叠加台积电2.5D封装产能紧缺，产业链对先进封装及硅电容需求预期上升。
台系被动元件厂商国巨表示，全球前两大MLCC厂商村田与三星电机已发布涨价通知。受AI需求扩张影响，原材料成本上升及供需紧张状况预计于2026年下半年逐步显现，存在涨价可能。目前高规格定制产品占营收80%，交期延长至12-18周以上，整体产能利用率超80%，AI相关产品BB值达1.4。
行业调研显示，Terafab以高于市场价向设备供应商采购关键工具，凸显其项目时间紧迫性。
推特用户@jukan05表示，半导体设备可能严重稀缺，tera-fab项目比预期更认真；英特尔需扩大产能并承接台积电客户，三星已获多个客户，台积电可能在Q3上调资本开支。SK海力士在HBM4上表现优于三星，HBM价格重谈不顺利，超大规模客户不愿重新谈判。
联电（UMC）在股东会上表示，因新加坡厂扩建导致成本负担增加，计划下半年选择性涨价，并预计2027年与客户进行全面价格重谈。
据独家消息，NVIDIA的推理GPU“Rubin CPX”发布存疑，公司未订购相关内存和基板，行业视该项目已取消。此前NVIDIA计划今年下半年发布，采用128GB GDDR7内存，但无进展。
中国最大被动元件厂商风华高科因订单激增，暂停接受0402/0603尺寸片式电阻和MLCC订单，产能利用率已达90%。供应链将此举归因于预防性采购和短缺担忧，行业预期可能开启涨价周期。银价上涨推升成本，高端MLCC短缺加剧，Murata、三星电机等厂商产能利用率超90%。
英飞凌宣布对功率半导体产品进行涨价，具体幅度和时间尚未披露。该消息来自社交媒体，引发广泛关注。
SK海力士市值突破1万亿美元，成为半导体行业重要里程碑。
SK海力士拒绝了Alphabet、微软、Meta等美国科技巨头数十亿美元的投资支持，原因是担心接受投资会带来独家供应义务，影响其超供应商地位。目前SK海力士在HBM市场与三星形成双寡头，今年产能已售罄。
独家消息称台积电3nm制程报价下半年上涨15%，明年可能再涨10%，CEO魏哲家预计将在股东会上说明具体情况。
美光科技市值达到1万亿美元，公司CEO SJ获得祝贺。
据供应链研究，内存行业高达30%的DDR容量将很快以略低于当前价格的水平锁定在长期协议中，可能影响未来供需格局。
台湾禾伸堂预计AI电源规格升级将加剧全球MLCC短缺，交期已延长至20周以上；公司产能利用率满，计划2026年底扩产20-30%，2027年再扩30-40%；上游设备交期延长至1-1.5年，AI平台迭代持续推升高规格MLCC需求。
英特尔CEO Lip-Bu Tan据悉将于本周抵达台湾，访问台积电。这一行程引发市场关注，但具体议程尚未披露。
台湾MLCC原材料供应商Ample Electronic表示，AI需求推动MLCC及被动元件市场持续强劲，客户订单增长并补库存，部分客户签订长期供应协议。2026年1-4月累计营收8.56亿新台币，同比增长54.9%；一季度毛利率19.74%，EPS 2.55新台币，均创季度新高。公司计划以1.12亿新台币购地扩建产能。
三星电子宣布成功实现全球首款900层V-NAND原型，采用Cell Multi Bonding技术将两个450层晶圆集成。该技术验证了正常单元操作特性，标志着向1000层NAND时代迈进。产品面向AI服务器、智能手机和数据中心SSD，有助于三星在下一代NAND市场中占据优势。
AI数据中心转向800V高压直流（HVDC）电源架构，推动台湾引线框架供应商订单激增。SDI和Jih Lin预计2026年收入实现两位数增长，其中SDI的AI相关收入占比将从2025年的1%快速升至2026年第一季度的6%，HVDC项目收入预计从2026年下半年开始显著提升。
英伟达、AMD、英特尔等AI芯片大厂对嵌入式基板技术兴趣增长，该技术可改善信号完整性和功率稳定性。日本Ibiden、韩国三星电机、台湾欣兴、景硕和南电等供应商正加大嵌入式基板开发投资，但大规模采用仍处早期阶段。
华为宣布找到新路径，有望在不使用尖端设备的情况下实现先进半导体突破，缩短与台积电的差距；同时，今年秋季发布的Kirin手机芯片性能将显著提升。
被动组件分销商Nichidenbo指出，AI服务器需求导致高规格MLCC、大尺寸电解电容等交期从1.5-2个月延长至3-4个月，部分达6个月以上。日韩供应商已停止接受新订单，保守产能扩张加剧供应紧张。预计2026年MLCC需求同比增长11%，电容器需求进一步增长30%。
三星电机因客户对ABF基板需求极强而尝试扩产，但由于缺乏空地，决定拆除现有工厂的停车场，并在原址建设新工厂。
重定时器（retimer）作为AI芯片时代隐藏核心组件，用于恢复芯片间因高速传输而衰减的信号。随着PCIe 5.0速率达32 GT/s，信号完整传输距离极短，retimer比redriver能完全恢复信号。PCIe代际升级使速度更快，信号传输距离缩短，驱动retimer需求指数增长。
Jukan05辟谣TrendForce关于NVIDIA使用HBF的报道，称其是假新闻，实际NVIDIA为GIDS考虑高可靠性高速NAND。
黄仁勋称Vera Rubin架构将成为迄今最成功的一代，希望超微电脑加强合规并持续增长；指出AI将影响所有行业，内存价格上涨成为客户挑战，希望供应商快速扩产。
日本Nittobo因AI服务器需求导致高端低热膨胀玻璃纤维短缺，但决定不涨价，专注扩产保市场份额。公司将加速在日本福岛和台湾的产线扩张，以满足T-glass厚布和薄布的超预期需求。
三星和SK海力士将V10 NAND量产推迟至明年，若Kioxia成功量产V10 NAND，将显著缩小与竞争对手的技术差距。
日本存储厂商Kioxia计划于明年量产第十代BiCS NAND闪存，采用332层堆叠技术，相比上一代存储密度提升59%，数据传输速度提升33%。该公司在全球NAND市场份额14.1%，排名第三。而韩国竞争对手三星和SK海力士推迟了下一代NAND商业化时间表。
长鑫存储已于去年1月启动DDR5内存量产，相关芯片已被第三方机构TechInsights拆解验证。目前该公司产能主要用于满足国内市场需求，尚未对全球DRAM供需造成冲击，预计至少需两年时间才能形成实质性市场竞争。
美国制裁长江存储后，外国设备公司被禁提供支持服务。曾在这些公司工作的中国员工集体加入长江存储，确保了其生产不受影响。
摩根士丹利分析称，英伟达下一代Rubin机架售价约780万美元，价值提升主要来自PCB、MLCC和ABF基板，带动中国PCB概念股上涨。
AI半导体内存墙问题催生新方案：GPU与HBM解耦，通过光学互连远距离安装更多HBM。国内大型内存厂商研究人员于5月22日透露正与客户讨论该方案，以突破HBM带宽和容量扩展瓶颈，同时HBM堆叠超过16层面临物理极限。
Nvidia的Vera CPU性能超越最新x86 CPU，同时Intel正在开发18A CPU以与MacBook Neo竞争。
推特爆料称，三星会长李在镕低调访问台湾，目的是争取联发科成为其芯片代工客户。该传闻若属实，可能影响半导体代工格局。
三星集团会长李在镕访问台湾，旨在争取联发科成为其晶圆代工客户。台湾媒体猜测三星可能利用内存短缺作为谈判筹码，以赢得代工订单。
AMD加速推出下一代Helios机架级AI平台，计划2026年下半年开始量产部署；台湾ODM厂商（纬创、纬颖、英业达）已开始量产准备，预计2026年Q2末至Q3开始出货；前五大北美云商大幅增加机架式AI服务器采购，AMD成为供应链多元化关键；微软积极采用AMD作为第二AI加速平台。