存储芯片涨价超预期，DRAM二季度涨幅上调至25%以上，Nor Flash等利基型产品6月将提价，消费类涨幅或达30%。涨价由AI需求挤压高端产能引发结构性缺货，全球大厂产能转向HBM，导致标准型和利基型存储供给紧张，为国内厂商提供机遇。
5月27日凌晨，存储芯片市场边际变化显著，价格上涨从预期内走向全面超预期，不仅DRAM二季度涨幅预期上调至25%以上，Nor Flash等利基型产品也将在6月开启新一轮提价，消费类涨幅或达30%。这一轮涨价的核心驱动力已从周期性复苏，转变为由AI需求挤压高端产能引发的结构性、传导性缺货，全球大厂产能向HBM等高端产品倾斜，导致标准型和利基型存储市场出现供给真空，为国内厂商提供了价格弹性和份额替代的双重机遇。关注：北京君正（DRAM/Nor Flash价格上涨超预期，与头部晶圆厂合作解决产能瓶颈）/兆易创新（受益于海外大厂退出带来的利基型存储供需缺口扩大）/国科微（固态硬盘主控芯片及产品受益于存储涨价周期，已发涨价函）/江波龙/佰维存储（存储模组厂商受益于行业高景气度）/雅克科技/安集科技（国产存储龙头扩产带动上游材料需求）