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AI需求挤压DRAM产能致结构性短缺

Alpha 派 4 信息等级 4 1 噪音/剔除;2 较弱;3 普通事实;4 重要行业动态;5 极重大事件。该分数是信息显著性,不是投资建议。 抓取:2026-05-26 01:21
摘要

行业高管指出,AI对HBM的需求正结构性地挤压DRAM产能,因HBM消耗数倍DRAM的晶圆产能且新增供应要到2028年才放量,导致短缺持续至2027年甚至更久。这改变了存储板块的估值逻辑,从周期股转向AI基建资产,投资机会扩散至其他芯片和上游设备材料。

客观事实
  • AI对HBM需求结构性地挤压DRAM产能
  • HBM新增供应预计2028年放量,短缺持续至2027年
  • 存储板块估值逻辑从周期股转向AI基建资产
美光 SK海力士 三星电子 长鑫科技 ASMPT 泛林半导体 三环集团 AMD

原文

5月25日,行业高管明确指出,AI对HBM的需求正结构性地挤压DRAM产能,由于HBM消耗数倍于DRAM的晶圆产能且新增供应要到2028年才能放量,导致短缺将持续到2027年甚至更久。这一确定性改变了存储板块的交易逻辑,从博弈价格周期的“周期股”转向基于长期协议和盈利可见度的“AI基建资产”进行重估,同时投资机会正从存储芯片本身扩散至被挤压产能的其它芯片环节及上游设备材料。关注:美光/SK海力士/三星电子(DRAM原厂,受益于HBM挤压效应和价格上涨,估值逻辑切换),长鑫科技(国内DRAM龙头,产能满载有望加速扩产),ASMPT/泛林半导体(存储资本开支上行周期的上游设备受益者),三环集团/AMD(AI需求挤压效应外溢至MLCC、CPU等环节)