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兴证计算机 | 存储产业专题交流 - 星际圆桌派248期

Alpha 派 3 信息等级 3 1 噪音/剔除；2 较弱；3 普通事实；4 重要行业动态；5 极重大事件。该分数是信息显著性，不是投资建议。 抓取：2026-05-17 10:21
行业 AI 半导体
摘要

兴证计算机举办存储产业专题交流，指出2025年存储产品大幅涨价，DDR5涨170%、NAND涨20%、HBM涨200%，驱动因素为AI需求爆发、减产及产能倾斜。当前HBM缺口50%-60%，预计2028年缓解；DRAM和NAND缺口约5%，2027年平衡。2026年DRAM预计涨40%-60%，长鑫已量产HBM3。

客观事实
  • 2025年DDR5涨幅170%，NAND涨幅20%，HBM涨幅200%
  • 当前HBM缺口50%-60%，预计2028年缓解
  • 长鑫已量产HBM3主要供国内市场
长鑫存储 HBM DDR5 NAND

原文

2025年存储产品大幅涨价，DDR5涨幅170%、NAND涨幅20%、HBM涨幅200%，驱动为AI需求爆发、三巨头减产、产能向HBM倾斜及地缘因素。当前HBM缺口50%-60%，预计2028年缓解，DRAM、NAND缺口均约5%，预计2027年基本平衡。2026年DRAM预计涨40%-60%，HBM供需紧张格局将持续，长鑫已量产HBM3主要供国内市场。